ElectronicsBlog

Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные. Предназна­чены для преобразования переменного напряжения частотой до 500 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры, защищенной от воздействия влаги. Выпускаются в металло-пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 3 г.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение UПР при IПР = 20 А:
Т = +25 °С	1,15*…1,25*…1,4 В
Т = -60 °С, не более	2,2 В
Т = +125 °C, не более	1,4 В
Импульсное прямое напряжение* при IПР.И= 1 А, tФ = 5 нс, типовое значение	2 В
Время обратного восстановления tВОС.ОБР при UОБР = 20 В, IПР.И =  1 А, IОБР.И =  0,5 А, RН = 20 Ом  не более	34*… 39*…50 нс
Время обратного восстановления* при UОБР.И = 30 В, IПР.И = 1 А,dI/dt = 0,2, IОТСЧ = 0,5 А, не более	35 нс
Время прямого восстановления* при IПР.И = 1 А, UОТСЧ = 1 В, tФ = 5 нс, типовое значение	15 нс
Постоянный обратный IОБР ток при UОБР = 100 В для 2Д239А, UОБР = 150 В для 2Д239Б, UОБР = 200 В для 2Д239В, не более:
Т = -60 и +25 °С	20 мкА
Т= +100 °С	1000 мкА
Средний обратный ток в режиме преобра­зования синусоидального напряжения ча­стотой 50 Гц и tИ = 10 мс при UОБР = 100 В для 2Д239А, UОБР = 150 В для 2Д239Б, UОБР = 200 В для 2Д239В, не более:
Т = -60 и +25 °С	20 мкА
Т = +100 °С	1000 мкА

 

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное (импульсное) повторяющееся (при Q > 2, tИ < 10 мс) обратное напряжение UОБР (UОБР.И)
2Д239А	100 В
2Д239Б	150 В
2Д239В	200 В
Импульсное неповторяющееся обратное на­пряжение при Q > 1000, tИ< 10 мс:
2Д239А	110 В
2Д239Б	165 В
2Д239В	220 В
Постоянный прямой ток IПР В диапазоне температур корпуса + 70… + 125 °С постоянный прямой ток снижается линейно.
при T = -60… Тк = +70 ⁰С	20 А
при TК = +125 ⁰С	5 А
Средний прямой ток IПР.СР: В диапазонах температур корпуса +25…+ 100 и +100…+125 ℃ средний прямой ток снижается линейно.
при Т = -60… ТК = +25 °С	15 А
при ТК = +100 °С	10 А
при ТК = +125 °С	5 А
Импульсный повторяющийся (при IПР.СР ≤ IПР.МАКС) и неповторяющийся (при Q ≥ 1000, tИ ≤ 10 мс) прямой ток IПР.И.ПОВТ.	80 А
Рассеиваемая мощность РРАС В диапазоне температур корпуса +100… + 125 °С мощность снижается линейно.
при Т = -60… ТК = +100 °С	25 Вт
при ТК= +125 °С	7 Вт
Частота преобразования напряжения синусои­дальной формы или формы меандра при ра­боте на активную нагрузку и tФ ≥ 0,1 мкс	500 кГц
Тепловое сопротивление переход – среда RТ(П-С)	2,5 °С/Вт
Температура перехода ТП	+ 155 ⁰С
Температура окружающей среды Т	-60…+155 ⁰С

 

При монтаже диода в аппаратуре: пайку выводов произво­дить после установки диода на теплоотвод при температуре припоя +260 °С, время пайки не более 4 с.

Расстояние от корпуса до начала изгиба выводов не менее 7 мм, радиус изгиба не менее 1,5 мм; крепление диода на теплоотвод рекомендуется производить с применением тепло­проводящих пасты или клея винтом МЗ; не допускается кре­пление диодов за выводы.

Зависимость постоянного прямого тока от напряжения.

Зависимости максимального им­пульсного прямого тока от дли­тельности прямоугольного им­пульса.При синусоидальной форме импульса величина тока увеличивается в 1,6 раза, но не более 80 А.

Зависимости максимального им­пульсного прямого тока от дли­тельности прямоугольного им­пульса.При синусоидальной форме импульса величина тока увеличивается в 1,6 раза, но не более 80 А.

Зависимости максимального сред­него прямого тока от частоты

Зависимости максимального сред­него прямого тока от частоты