Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе в виде буквы соответствующего типономинала.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Изготовитель – акционерное общество «Кремний», г. Брянск, Нальчинский завод полупроводниковых приборов, г. Нальчик, завод при НИИПП, г. Томск.
Электрические параметры
| Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при UКЭ = 10 В, IК = 1 мА | |
| КТ315А, КТ315В | 30…120 |
| КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е | 50…350 |
| КТ315Д | 20…90 |
| КТ315Ж | 30…250 |
| КТ315И, не менее | 30 |
| КТ315Р | 150…350 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ fГР при UКЭ = 10 В, IК = 1 мА, не менее | 250 МГц |
| Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ = 10 В, IЭ = 5 мА, не более | |
| КТ315А | 300 пс |
| КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р | 500 пс |
| КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж | 1000 пс |
| КТ315И | 950 пс |
| Граничное напряжение при IЭ = 5 мА, не менее | |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж | 15 В |
| КТ315В, КТ315Д, КТ315И | 30 В |
| КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р | 25 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ НАС при IБ = 2 мА IК = 20 мА, не более | |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р | 0,4 В |
| КТ315Д, КТ315Е | 0,6 В |
| КТ315Ж | 0,5 В |
| КТ315И | 0,9 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер UКЭ НАС при IБ = 2 мА IК = 20 мА, не более | |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р | 1 В |
| КТ315Д, КТ315Е | 1,1 В |
| КТ315Ж | 0,9 В |
| КТ315И | 1,3 В |
| Обратный ток коллектора IКБО при UКБ = 10 В, не более | 1 мкА |
| Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭО при RБЭ = 10 кОм, UКЭ = UКЭ МАКС, не более | 1 мкА |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р | 1 мкА |
| КТ315Ж | 10 мкА |
| КТ315И | 100 мкА |
| Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 5 В для КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Р, не более | 50 мкА |
| Входное сопротивление при UКЭ = 10 В, IК = 1 мА, не менее | 40 Ом |
| Выходная проводимость при UКЭ = 10 В, IК = 1 мА, не более | 0,4 мкСм |
| Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 10 В, не более | 5 пФ |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р | 7 пФ |
| КТ315Ж, КТ315И | 10 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при RБЭ = 10 кОм: | |
| КТ315А | 25 В |
| КТ315Б, КТ315Ж | 20 В |
| КТ315В, КТ315Д | 40 В |
| КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р | 35 В |
| КТ315И | 60 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ МАКС: | 6 В |
| Постоянный ток коллектора IK МАКС: | |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р | 100 мА |
| КТ315Ж, КТ315И | 50 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС при Т ≤ +25 ℃ | |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р | 150 мВт |
| КТ315Ж, КТ315И | 100 мВт |
| Температура p—n перехода ТП | + 120 ℃ |
| Тепловое сопротивление переход-среда RT(П-С) | 0,67 ℃/мВт |
| Температура окружающей среды Т | -60…+100 ℃ |
Допускается эксплуатация транзисторов в режиме РК = 250 мВт при UКБ = 12,5 В, IК = 20 мА.
Зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы.
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ