Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием. Помещаются в возвратную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без извлечения из неё транзисторов. Тип прибора и маркировочная точка коллектора приводятся на крышке возвратной тары.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Изготовитель – Нальчинский завод полупроводниковых приборов, г. Нальчик.
Электрические параметры
| Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при UКЭ = 1 В, IК = 1 мА | |
| Т = + 25 ℃ | |
| 2Т317А-1, КТ317А-1 | 25…75 |
| 2Т317Б-1, КТ317Б-1 | 35…120 |
| 2Т317В-1, КТ317В-1 | 80…250 |
| Т = + 85 ℃ | |
| 2Т317А-1, КТ317А-1 | 25…225 |
| 2Т317Б-1, КТ317Б-1 | 35…360 |
| 2Т317В-1, КТ317В-1 | 80…750 |
| Т = — 60 ℃ | |
| 2Т317А-1, КТ317А-1 | 9…75 |
| 2Т317Б-1, КТ317Б-1 | 15…120 |
| 2Т317В-1, КТ317В-1 | 25…250 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fГР при UКЭ = 1 В, IК = 3 мА, не менее | 100 МГц |
| Время рассасывания при UКЭ = 3 В, IК = 3 мА, IБ = 1 мА, не более | 130 нс |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ НАС при IК = 10 мА, IБ = 1,7 мА для 2Т317А-1, КТ317А-1; IБ = 1 мА для 2Т317Б-1, КТ317Б-1; IБ = 0,7 мА для 2Т317В-1, КТ317В-1, не более | 0,3 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер UКЭ НАС при IК = 10 мА, IБ = 1 мА для 2Т317А-1, КТ317А-1; IБ = 0,6 мА для 2Т317Б-1, КТ317Б-1; IБ = 0,4 мА для 2Т317В-1, КТ317В-1, не более | 0,85 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база при UКБ = 2,5 В, IЭ = 0,05 мА, не менее | 0,5 В |
| Обратный ток коллектора IКБО при UКБ = 10 В, не более | |
| Т = + 25 ℃ | 1 мкА |
| Т = + 85 ℃ | 10 мкА |
| Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭО при UКБ = 5 В, RБЭ = 3кОм, не более | 3 мкА |
| Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 3,5 В, не более | 10 мкА |
| Постоянный ток базы при UБЭ = 0,8 В | 130…460 мкА |
| Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 1 В, не более | 11 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода СЭ при UЭБ = 1 В, не более | 22 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное напряжение коллектор-база, коллектор-эмиттер UКБ МАКС, UКЭ МАКС при RБЭ = 3 кОм: | 5 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ МАКС: | 3,5 В |
| Постоянный ток коллектора IK МАКС: | 15 мА |
| Импульсный ток коллектора при tИ ≤ 10 мкс, Q ≥ 10, tФ ≥ 100 нс | 45 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС при Т ≤ +40 ℃ | 15 мВт |
| Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при tИ ≤ 10 мкс, Q ≥ 10, tФ ≥ 100 нс, Т = +25 ℃ | 100 мВт |
| Температура p—n перехода ТП | + 100 ℃ |
| Тепловое сопротивление переход-среда RT(П-С) | 4 ℃/мВт |
| Температура окружающей среды Т | -60…+85 ℃ |
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ