Транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n усилительный маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для применения в предварительных каскадах усилителей низкой частоты. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводниковых приборов, г. Воронеж.
Электрические параметры
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала h21Э при: | 110…250 |
| Коэффициент шума при UКЭ = 1 В, IЭ = 0,1 мА, f = 1 кГц, не более | 7 дБ |
| Обратный ток коллектора IКБО при UКБ = 15 В, не более | 1 мкА |
| Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 4 В, не более | 1 мкА |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС | 15 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при RБЭ = 100 Ом: | 15 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ МАКС: | 4 В |
| Постоянный ток коллектора IK МАКС: | 10 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС при Т ≤ +50 ℃ | 100 мВт |
| Температура окружающей среды Т | -40…+85 ℃ |
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ