ElectronicsBlog

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на этикетке.

Масса транзистора не более 0,25 г.

Изготовитель —  АООТ Воронежский завод полупроводниковых приборов, г. Воронеж.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при UКЭ = 2 В, IЭ = 20 мА:
Т = +25 ℃:
КТ375А	10…100
КТ375Б	50…280
Т = -45 ℃:
КТ375А	8…100
КТ375Б	25…280
Т = +85 ℃:
КТ375А	10…200
КТ375Б	50…560
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ fГР при UКБ = 10 В, IЭ = 5 мА, не менее	250 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ = 10 В, IЭ = 5 мА, не более	300 пс
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ НАС при IК = 10 мА, IБ = 1 мА, не более	0,4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер UКЭ НАС при IК = 10 мА, IБ = 1 мА, не более	1 В
Обратный ток коллектора IКБО при UКБ = UКБ МАКС не более:
Т = +25 ℃:	1 мкА
Т = +85 ℃:	10 мкА
Обратный ток эмиттера IЭБО при UБЭ = 5 В, не более	1 мкА
Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 10 В, не более	5 пФ
Емкость эмиттерного перехода СЭ при UЭБ = 1 В, не более	20 пФ

 

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС, коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при RБЭ ≤ 100 Ом:
КТ375А	60 В
КТ375Б	30 В
Постоянный ток коллектора IK МАКС:	100 мА
Импульсный ток коллектора IК И. МАКС при tИ ≤ 1 мкс и условии, что средняя мощность за период не превышает постоянную рассеиваемую мощность коллектора	200 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС при Т = -45…+25 ℃ В диапазоне температур +25…+85 ℃ мощность определяется по формуле PК МАКС = (125 — Т)/0,5 мВт.	200 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС при tИ ≤ 1 мкс и условии, что средняя мощность за период не превышает постоянную рассеиваемую мощность коллектора	400 мВт
Температура p—n перехода ТП	+ 125 ℃
Температура окружающей среды Т	-45…+85 ℃

 

Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора.

Входные характеристики.

Зависимости статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

Зависимости напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от температуры.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры.