Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (КТ3117А, КТ3117Б) и пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ3117А1). Тип прибора указывается на корпусе и в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,4 г, транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,3 г.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Изготовители – завод «Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры
| Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при UКБ = 5 В, IЭ = 200 мА | |
| Т = +25 ℃: | |
| КТ3117А, КТ3117А1 | 40…200 |
| КТ3117Б | 100…300 |
| Т = ТМИН: | |
| КТ3117А, КТ3117А1 | 15…200 |
| Т = ТМАКС: | |
| КТ3117А, КТ3117А1 | 30…350 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ fГР при UКЭ = 10 В, IК = 30 мА, не менее | 200 МГц |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭ НАС при IК = 500 мА, IБ = 50 мА, не более | 0,6 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер UБЭ НАС при IК = 500 мА, IБ = 50 мА, не более | 1,2 В |
| Время включения tВКЛ при IК = 500 мА, IБ = 50 мА для КТ3117Б, не более | 35 нс |
| Время рассасывания tРАС при IК = 500 мА, IБ = 50 мА, не более | 80 нс |
| Обратный ток коллектора IКБО приUКБ = 60 В, не более | |
| Т = +25 ℃ | 10 мкА |
| Т = ТМАКС | 100 мкА |
| Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 4 В, не более | 5 мкА |
| Емкость коллекторного перехода СК, при UКБ = 10 В, не более | 10 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода СЭ при UЭБ = 0 В, не более | 80 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС: | |
| КТ3117А, КТ3117А1 | 60 В |
| КТ3117Б | 75 |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС: | |
| RБЭ = 0 | |
| КТ3117А, КТ3117А1 | 60 В |
| КТ3117Б | 75 |
| RБЭ = 1 кОм | |
| КТ3117А, КТ3117А1 | 50 В |
| КТ3117Б | 65 |
| Постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ МАКС: | 4 В |
| Импульсное напряжение эмиттер-база UЭБ И МАКС при tИ = 1 мкс, Q = 2 | 5 В |
| Постоянный ток коллектора IK МАКС | 400 мА |
| Импульсный ток коллектора IK И МАКС и эмиттера IЭ И МАКС при tИ = 10 мкс, Q = 10 | 800 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС
При Т от +40 до +80 ℃ максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора уменьшается линейно. |
|
| Т = +40 ℃ | 300 мВт |
| Т = +85 ℃ | 180 мВт |
| Импульсная рассеиваемая мощность коллектора РК.И.МАКС при tИ = 10 мкс, Q = 10
При Т от +40 до +80 ℃ максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора уменьшается линейно. |
|
| Т = +40 ℃ | 800 мВт |
| Т = +85 ℃ | 400 мВт |
| Тепловое сопротивление: | |
| переход-среда RТ(П-С): | 0,35 ℃/мВт |
| переход-корпус RТ(П-К): | 0,1 ℃/мВт |
| Температура p—n перехода ТП | +150 ℃ |
| Температура окружающей среды Т | -45…+85 ℃ |
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ