ElectronicsBlog

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 120 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты. Транзисторы 2Т3106А-2, КТ3106А-2 бескорпусные на никелевом кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием на основе кремнийорганического лака. Выпускаются в сопроводительной таре. Транзистор КТ3106А9 выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Тип прибора указывается на этикетке.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

Масса бескорпусного транзистора не более 0,003 г, транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,05 г.

Изготовители – акционерное общество «Светлана», г. Санкт-Петербург.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при UКБ = 5 В, IЭ = 5 мА
Т = +25 ℃, не менее:	40
типовое значение	100*
Т = -60 ℃, не менее:	20
Т = ТМАКС, не менее:	40
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ fГР при UКБ = 2 В, IЭ = 5 мА	0,9*…1,8*…2,2* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ = 2 В, IЭ = 5 мА, f = 30 МГц, не более	7*…8*…10 пс
Коэффициент шума КШ на f = 120 МГц при UКБ = 5 В, IЭ = 5 мА, RГ = 50 Ом	1,1*…1,4*…2 дБ
Коэффициент усиления по мощности КМ на f = 120 МГц	17*…17,5*…18* дБ
Граничное напряжение при IЭ = 5 мА, не менее	21*…25*…28* В
Обратный ток коллектора IКБО приUКБ = 15 В, не более
Т = +25 ℃	0,5 мкА
Т = ТМАКС	5 мкА
Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭБ = 2,5 В, не более	1 мкА
Емкость коллекторного перехода СК
при UКБ = 5 В, не более	2 пФ
типовое значение	1,5* пФ
Ёмкость эмиттерного перехода СЭ при UЭБ = 1 В, не более	3,5 пФ
типовое значение	3* пФ
Индуктивность выводов эмиттера и базы	13* нГн

 

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС:	15 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС при RБЭ = 10 кОм	15 В
Постоянное напряжение эмиттер-база UЭБ МАКС:	2,5 В
Постоянный ток коллектора IK МАКС и эмиттера IЭ МАКС	20 мА
Импульсный ток коллектора IK И МАКС и эмиттера IЭ И МАКС при tИ = 10 мкс, Q = 2	40 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора в указанных интервалах температур уменьшается линейно.
при Т = +50 ℃ для КТ3106А-2	30 мВт
при Т = +75 ℃ для 2Т3106А-2	30 мВт
при Т = +85 ℃ для КТ3106А-2	16 мВт
при Т = +125 ℃ для 2Т3106А-2	10 мВт
при Т = +25 ℃ для КТ3106А9	100 мВт
при Т = +100 ℃ для КТ3106А9	25 мВт
Температура p—n перехода ТП
2Т3106А-2	+150 ℃
КТ3106А-2, КТ3106А9	+125 ℃
Температура окружающей среды Т
2Т3106А-2	-60…+125 ℃
КТ3106А-2	-60…+85 ℃
КТ3106А9	-60…+100 ℃

 

При эксплуатации транзисторов в составе микросхем должен быть обеспечен теплоотвод от кристалла с R_Т(П-С) = 2,5 ℃/мВт.

Зависимости электрических параметров от тока и напряжения для КТ3106А9 аналогичны зависимостям КТ3106А-2.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база.

Зависимость граничной частоты от тока эмиттера.

Зависимость граничной частоты от напряжения коллектор-база.

Зависимость коэффициента шума от тока эмиттера.

Зависимость коэффициента шума от напряжения коллектор-база.