ДММ3
Диод германиевый, точечный. Предназначен для применения в заливаемых или капсулируемых микромодулях. Выпускается на керамических микроплатах с распайкой выводов к пазам 1…6, 1…4 или 2…5. Тип диода указывается на микроплате. Положительный электрод диода соединён с пазом 1 или 2 микроплаты.
Масса диода с микроплатой не более 0,35 г.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Электрические параметры.
| Постоянное прямое напряжение Uпр, не более:
при Т = -60°С и Iпр = 5 мА Iпр = 2,5 мА при Т = +25… +70°С и Iпр = 5 мА Iпр = 2,5 мА |
1 В 0,9 В
1 В 0,7 В |
| Импульсное прямое напряжение Uпр.и при Iпр = 20 мА, не более | 3,5 В |
| Постоянный обратный ток Iобр при Uобр= 15 В не более:
при Т = – 60… + 25°С при Т = +70 °С |
100 мкА 250 мкА |
| Время обратного восстановления tвос.обр при Iпр.и = 20 мА, Uобр.и = 10 В не более |
0,1 мкс |
| Общая ёмкость диода Сд при Uобр = 10 В | 1 пФ |
Предельные эксплуатационные параметры
| Постоянное обратное напряжение Uпр при Т = -60… +35°С | 15 В |
| Постоянный прямой ток Iпр | 12 мА |
| Импульсный прямой ток Iпр.и при tи ≤ 10 мкс и скважности, равной 4 | 50 мА |
| Температура окружающей среды Т | -60… +70°С |
Диоды перед заливкой и герметизацией должны покрываться демпфирующей пастой КЛТ-30.
Зависимость прямого тока от напряжения.
Зависимость обратного тока от напряжения.
Зависимость импульсного прямого напряжения от тока.
Зависимость общей ёмкости диода от напряжения.
Зависимость прямого тока от частоты.
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ