Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в качестве усилительного элемента микромодулей и блоков герметизируемой аппаратуры. Бескорпусные с защитным покрытием и контактными площадками для присоединения в электрическую схему. Тип прибора указывается на групповой таре.
Масса транзистора не более 0,001 г.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Изготовитель – акционерное общество открытого типа «Элекс», г. Александров.
Электрические параметры
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала h21э при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц: | |
| КТ207А, не менее | 9 |
| КТ207Б | 30…150 |
| КТ207В | 30…200 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fГР в схеме ОБ при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, не менее: | 5 МГц |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК = 10 мА, IБ = 1 мА, не более | |
| КТ207А, КТ207Б | 1 В |
| КТ207В | 0,5 В |
| Обратный ток коллектора IКБО при, не более | |
| при UКБ = 60 В для КТ207А | 0,05 мкА |
| при UКБ = 30 В для КТ207Б | 0,05 мкА |
| при UКБ = 15 В для КТ207В | 0,05 мкА |
| Обратный ток эмиттера IЭБО, не более | |
| при UКБ = 30 В для КТ207А | 1 мкА |
| при UКБ = 15 В для КТ207Б | 1 мкА |
| при UКБ = 10 В для КТ207В | 1 мкА |
| Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого сигнала при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, не более | 300 Ом |
| Емкость коллекторного перехода СК при UКБ = 5 В, f = 10 МГц, не более | 10 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное напряжение коллектор-база UКБ МАКС: | |
| КТ207А | 60 В |
| КТ207Б | 30 В |
| КТ207В | 15 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭ МАКС: | |
| КТ207А | 60 В |
| КТ207Б | 30 В |
| КТ207В | 15 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база UБЭ МАКС: | |
| КТ207А | 30 В |
| КТ207Б | 15 В |
| КТ207В | 10 В |
| Постоянный ток коллектора IK МАКС: | 10 мА |
| Импульсный ток коллектора IK И МАКС при tИ ≤ 100 мкс, Q ≥ 5: | 50 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РК. МАКС: | 15 мВт |
| Импульсная рассеиваемая мощность коллектора РК.И МАКС при tИ ≤ 100 мкс, Q ≥ 5: | 50 мВт |
| Температура p—n перехода ТП | +100 ℃ |
| Температура окружающей среды Т | -45…+85 °С |
При монтаже и эксплуатации транзисторов необходимо принимать меры по их защите от статического электричества.
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ
