Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах. Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (2Т117(А-Г), КТ117(А-Г)) и в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ117(АМ-ГМ)). Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 0,45г, в пластмассовом не более 0,3 г.
Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.
Изготовитель – государственный Московский завод «Старт», г. Москва.
Электрические параметры
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала h21э при UБ1Б2 = 10 В: | |
| Т= +25 °С: | |
| 2Т117А, 2Т117В, КТ117А, КТ117В, КТ117АМ, КТ117ВМ | 0,5…0,7 |
| 2Т117Б, 2Т117Г | 0,65…0,8 |
| КТ117Б, КТ117Г, КТ117БМ, КТ117ГМ | 0,65…0,9 |
| Т= +70 °С: | |
| 2Т117А, 2Т117В, КТ117А, КТ117В, КТ117АМ, КТ117ВМ | 0,45…0,7 |
| 2Т117Б | 0,6…0,85 |
| 2Т117Г | 0,6…0,8 |
| КТ117Б, КТ117Г, КТ117БМ, КТ117ГМ | 0,6…0,9 |
| Т= -60 °С: | |
| 2Т117А, 2Т117В, КТ117А, КТ117В, КТ117АМ, КТ117ВМ | 0,5…0,8 |
| 2Т117Б, 2Т117Г | 0,65…0,9 |
| КТ117Б, КТ117Г, КТ117БМ, КТ117ГМ | 0,65…0,95 |
| Максимальная частота генерации | 200 кГц |
| Время включения при UБ1Б2 = 10 В, IЭ = 50 мА, не более: | |
| Т= +25 °С: | 3 мкс |
| Т= -60…+25 °С: | 5 мкс |
| Остаточное напряжение эмиттер-база, не более | |
| Т= -60…+25 °С: | 5 В |
| при IЭ = 10 мА, Т= +70 °С для 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г | 4 В |
| при IЭ = 50 мА, Т= +70 °С для КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г, КТ117АМ, КТ117БМ, КТ117ВМ, КТ117ГМ | 4 В |
| Ток включения эмиттера при UБ1Б2 = 10 В, не более | 20 мкА |
| Ток включения эмиттера при UБ1Б2 = 20 В, не более | 1 мА |
| Ток модуляции, не менее | 10 мА |
| Обратный ток эмиттера IЭБО при UБ1Б2 = 30 В, не более: | |
| Т= +25 °С | 1 мкА |
| Т= +125 °С | 10 мкА |
| Межбазовое сопротивление | |
| Т= +25 °С: | |
| 2Т117А, 2Т117Б | 4…7,5 кОм |
| 2Т117В, 2Т117Г | 6…9 кОм |
| КТ117А, КТ117Б, КТ117АМ, КТ117БМ | 4…9 кОм |
| КТ117В, КТ117Г, КТ117ВМ, КТ117ГМ | 8…12 кОм |
| Т= +70 °С: | |
| 2Т117В, 2Т117Г | 6…15 кОм |
| КТ117В, КТ117Г, КТ117ВМ, КТ117ГМ | 6…18 кОм |
| Т= -60 °С: | |
| 2Т117В, 2Т117Г | 3…8,5 кОм |
| КТ117В, КТ117Г | 4…12 кОм |
| Т= -45 °С: | |
| КТ117ВМ, КТ117ГМ | 4…12 кОм |
| Температурный коэффициент межбазового сопротивления | 0,1…0,9 %/℃ |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное межбазовое напряжение | 30 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база UБЭ МАКС: | 30 В |
| Постоянный ток эмиттера IЭ МАКС при tИ = 10 мкс, Q = 200 | 1 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность эмиттера РЭ. МАКС: | |
| при Т= -60…+35 °С | 300 мВт |
| при Т = +125 °С | 15 мВт |
| Температура p—n перехода ТП | +130 ℃ |
| Температура окружающей среды Т | |
| 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г, КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г | -60…+125 ℃ |
| КТ117АМ, КТ117БМ, КТ117ВМ, КТ117ГМ | -45…+125 ℃ |
Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ