ElectronicsBlog

В львиной доле транзисторных схем транзистор используется в качестве усилительного прибора. В данных схемах транзистор используется в так называемой активной области. Транзистор в качестве усилительного прибора, включается в усилительный каскад, который кроме транзистора содержит ещё цепи питания, нагрузку и цепи связи с последующим каскадом.

Для биполярных транзисторов возможны три схемы включения, которые обладают способностью усиливать мощность: с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК). Схемы отличаются способом включения источника сигнала и нагрузки (R_Н).

Ключевой режим работы транзистора, наверное, один из самых простых (с точки зрения поддержания параметров) и в тоже время очень часто встречающихся из режимов работы транзистора. По своей сути транзистор большую часть времени находится лишь в двух состояниях: отсечки и насыщения.Ниже показана схема включения транзистора

Своё название транзистор берет от двух слов «трансфер» (в переводе с английского – преобразователь) и «резистор». Транзистор представляет собой, как бы два полупроводниковых диода, с одной общей проводящей зоной. В зависимости от типа общей проводящей зоны возможны два типа транзистора, с разными последовательными проводящими зонами: p-n-p и n-p-n. Транзисторы с разной структурой, или, как их ещё называют с разными типами проводимости, одинаковы по своим основным характеристикам и возможностям. В своё время транзисторы структуры p-n-p было немного проще производить, и они были более распространены, и назывались транзисторы прямой проводимости, а n-p-n-транзисторы – транзисторы обратной проводимости.

Всем доброго времени суток! В прошлой статье я рассказал о динамических характеристиках полупроводниковых диодов. Изменяя физические характеристики p-n-структур (толщина и площадь p-n-перехода, концентрация акцепторных и донорных примесей, материал полупроводника и т.д.) изменяют электрические параметры диодов. Полученные в ходе этих изменений полупроводниковые приборы носят общее наименование диодов, но в зависимости от полученных характеристик имеют специфическое название, например, стабилитрон, варикап, импульсный диод и так далее. В данной статье рассмотрим классификацию и типы полупроводниковых диодов, а также их основные параметры.

Схема замещения диода.

Всем доброго времени суток. В прошлой статье я начал рассказывать о полупроводниковых диодах. Были рассмотрена его вольт-амперная характеристика, дифференциальные параметры, зависимость его параметров от температуры. Данные параметры имеют статический характер и в основном применимы к постоянным токам и напряжениям или медленно изменяющимся. Достаточно много типов диодов применяются в высокочастотных цепях, где основную роль играют динамические параметры, которые мы рассмотрим в данной статье.

Всем доброго времени суток. В прошлой статье я рассказывал об электронно-дырочном p-n-переходе, его структуре и принципе работы. Сегодняшняя статья посвящена простейшим приборам – диодам, в основе которых лежит p-n-переход.

Полупроводниковым диодом называется двухэлектродный прибор, созданный на основе p-n-структуры, состоящей из областей p- и n-типа, между которыми создан электронно-дырочный переход. Одна из областей p-n-структуры, называемая анодом, имеет большую концентрацию основных носителей заряда, чем другая область, называемая катодом.

Всем доброго времени суток. В прошлой статье я рассказывал о полупроводниках, их структуре и характере работы. На основе полупроводников создаются разнообразны электронные компоненты: диоды, тиристоры, транзисторы, интегральные микросхемы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход. Наиболее часто применяются переходы, образованные двумя соседними областями полупроводника, первая имеет проводимость p-типа, а вторая – n-типа. Такой электронно-дырочный переход называется p-n-переходом. Кроме него встречаются электронно-дырочные переходы между полупроводником и металлическим контактом – барьер Шоттки. В данной статье я рассмотрю p-n-переход.

Число полупроводников, известных в настоящее время, значительно превосходит количество проводниковых веществ и диэлектриков. Так к ним относятся чистые вещества: кремний (Si), германий (Ge), селен (Se), интерметаллические соединения: антимонид индия (InSb), арсенид галия (GaAs), оксиды меди и цинка (Cu₂O и ZnO), сульфиды кадмия, цинка (CdS, ZnS), карбид кремния (SiC) и другие вещества.

Самый простой конденсатор образуется с помощью двух пластин, между которыми помещён диэлектрик. Но такая конструкция на практике имеет очень плохие параметры, в частности по габаритным размерам. Поэтому современные конденсаторы представляют собой многослойные конструкции или однослойные, но свёрнутые в цилиндр или параллелепипед со скруглёнными рёбрами.

Резистор самая распространённая деталь в электронных конструкциях, порой она занимает до 70% всех электронных компонентов. Официально в справочниках резистором называется элемент электрической цепи, который создает сопротивление проходящему току. Вообще сопротивлением обладает любой радиоэлектронный элемент начиная от электрической лампочки и куска провода, и заканчивая электродвигателями, транзисторами и микросхемами, мало того сопротивление есть абсолютно у всех материалов на земле. Чтобы оценить величину сопротивления ввели специальную единицу измерения Ом или Ω (названную так по имени немецкого учёного Георга Симона Ома).