ElectronicsBlog

Обучающие статьи по электронике

StudLance.ru

Выпрямители. Часть 2. Сглаживающие фильтры

Сегодня продолжение темы про выпрямители и поговорим мы о сглаживающих фильтрах. Сглаживающие фильтры включаются между выпрямителем и нагрузкой для уменьшения переменных составляющих (пульсаций) выпрямленного напряжения. Эти фильтры выполняются из индуктивных элементов – дросселей и из ёмкостных элементов – конденсаторов. Простейший сглаживающий фильтр может состоять только из одного элемента, например дросселя или конденсатора. В малогабаритной аппаратуре сравнительно малой мощности индуктивные элементы фильтра могут быть заменены активными (резисторами).

Выпрямители. Часть 1. Силовые элементы.

mostovaya

Как правило, выпрямители состоят из силовых элементов (чаще всего диодов), трансформатора (для преобразования переменного напряжения и электрической изоляции между входными и выходными цепями выпрямителя) и сглаживающего фильтра (уменьшает пульсации напряжения на нагрузке). В зависимости от числа фаз системы электроснабжения различают однофазные и трёхфазные выпрямители.

В качестве силовых элементов выпрямителей используются германиевые и кремневые диоды. Кремниевые диоды практически полностью вытеснили германиевые. Единственный недостаток кремниевых диодов по сравнению с германиевыми – высокое прямое падение напряжение порядка 0,6…0,8 В вместо 0,1…0,3 В.

Биполярные транзисторы.Часть 3.Усилительный каскад.

В львиной доле транзисторных схем транзистор используется в качестве усилительного прибора. В данных схемах транзистор используется в так называемой активной области. Транзистор в качестве усилительного прибора, включается в усилительный каскад, который кроме транзистора содержит ещё цепи питания, нагрузку и цепи связи с последующим каскадом.

Для биполярных транзисторов возможны три схемы включения, которые обладают способностью усиливать мощность: с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК). Схемы отличаются способом включения источника сигнала и нагрузки (RН).

Биполярные транзисторы.Часть 2. Ключевой каскад.

Ключевой режим работы транзистора, наверное, один из самых простых (с точки зрения поддержания параметров) и в тоже время очень часто встречающихся из режимов работы транзистора. По своей сути транзистор большую часть времени находится лишь в двух состояниях: отсечки и насыщения.Ниже показана схема включения транзистора

klyuch

Биполярные транзисторы. Часть 1.

Своё название транзистор берет от двух слов «трансфер» (в переводе с английского – преобразователь) и «резистор». Транзистор представляет собой, как бы два полупроводниковых диода, с одной общей проводящей зоной. В зависимости от типа общей проводящей зоны возможны два типа транзистора, с разными последовательными проводящими зонами: p-n-p и n-p-n. Транзисторы с разной структурой, или, как их ещё называют с разными типами проводимости, одинаковы по своим основным характеристикам и возможностям. В своё время транзисторы структуры p-n-p было немного проще производить, и они были более распространены, и назывались транзисторы прямой проводимости, а n-p-n-транзисторы – транзисторы обратной проводимости.

Типы полупроводниковых диодов

УГО некоторых типов диодов

Всем доброго времени суток! В прошлой статье я рассказал о динамических характеристиках полупроводниковых диодов. Изменяя физические характеристики p-n-структур (толщина и площадь p-n-перехода, концентрация акцепторных и донорных примесей, материал полупроводника и т.д.) изменяют электрические параметры диодов. Полученные в ходе этих изменений полупроводниковые приборы носят общее наименование диодов, но в зависимости от полученных характеристик имеют специфическое название, например, стабилитрон, варикап, импульсный диод и так далее. В данной статье рассмотрим классификацию и типы полупроводниковых диодов, а также их основные параметры.

Динамические свойства диода

Схема замещения диода
Схема замещения диода.

Всем доброго времени суток. В прошлой статье я начал рассказывать о полупроводниковых диодах. Были рассмотрена его вольт-амперная характеристика, дифференциальные параметры, зависимость его параметров от температуры. Данные параметры имеют статический характер и в основном применимы к постоянным токам и напряжениям или медленно изменяющимся. Достаточно много типов диодов применяются в высокочастотных цепях, где основную роль играют динамические параметры, которые мы рассмотрим в данной статье.

Устройство и параметры диода

устройство полупроводникового диода

Всем доброго времени суток. В прошлой статье я рассказывал об электронно-дырочном p-n-переходе, его структуре и принципе работы. Сегодняшняя статья посвящена простейшим приборам – диодам, в основе которых лежит p-n-переход.

Полупроводниковым диодом называется двухэлектродный прибор, созданный на основе p-n-структуры, состоящей из областей p- и n-типа, между которыми создан электронно-дырочный переход. Одна из областей p-n-структуры, называемая анодом, имеет большую концентрацию основных носителей заряда, чем другая область, называемая катодом.

Электронно-дырочный p-n-переход

Всем доброго времени суток. В прошлой статье я рассказывал о полупроводниках, их структуре и характере работы. На основе полупроводников создаются разнообразны электронные компоненты: диоды, тиристоры, транзисторы, интегральные микросхемы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход. Наиболее часто применяются переходы, образованные двумя соседними областями полупроводника, первая имеет проводимость p-типа, а вторая – n-типа. Такой электронно-дырочный переход называется p-n-переходом. Кроме него встречаются электронно-дырочные переходы между полупроводником и металлическим контактом – барьер Шоттки. В данной статье я рассмотрю p-n-переход.

Полупроводники.

Структура кристаллической решётки полупроводника

Число полупроводников, известных в настоящее время, значительно превосходит количество проводниковых веществ и диэлектриков. Так к ним относятся чистые вещества: кремний (Si), германий (Ge), селен (Se), интерметаллические соединения: антимонид индия (InSb), арсенид галия (GaAs), оксиды меди и цинка (Cu2O и ZnO), сульфиды кадмия, цинка (CdS, ZnS), карбид кремния (SiC) и другие вещества.