ElectronicsBlog

Обучающие статьи по электронике

Главная / Справочник радиоэлектронных компонентов / Преобразователи постоянного напряжения / Микросхемы серии MC34063

Микросхемы серии MC34063

MC34063AB, MC34063AC, MC34063EB, MC34063EC

Микросхемы управления DC-DC преобразователями

Описание

Микросхемы серий MC34063A/E представляют собой монолитные интегральные схемы управления, реализующие полный набор функций, необходимых для построения импульсных преобразователей постоянного напряжения.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

В состав микросхемы входят: прецизионный источник опорного напряжения с температурной стабилизацией, компаратор, тактируемый генератор с регулируемой скважностью и встроенной схемой активного ограничения тока, буферный каскад (драйвер) и мощный выходной ключ. Выходное напряжение задаётся посредством двух внешних резисторов и обеспечивается с погрешностью опорного напряжения не более 2% (тип.).

Благодаря минимально необходимому набору внешних навесных элементов, микросхемы серии MC34063A/E предназначены для использования в схемах понижающих (step‑down), повышающих (step‑up) и инвертирующих (voltage‑inverting) преобразователей.

Основные параметры

  • Максимальный ток выходного ключа — свыше 1,5 А
  • Точность стабилизации опорного напряжения — 2%
  • Ток покоя (в дежурном режиме) — 2,5 мА (тип.)
  • Диапазон входных напряжений — от 3 до 40 В
  • Максимальная частота преобразования — 100 кГц
  • Наличие схемы активного ограничения выходного тока

Таблица 1. Сводная информация об устройствах (маркировка по корпусам)

Код для заказа
DIP-8 SO-8
MC34063ABN MC34063ABD‑TR
MC34063ACN MC34063ACD‑TR
MC34063EBN MC34063EBD‑TR
MC34063ECN MC34063ECD‑TR

Структурная схема

Рисунок 1. Структурная схема

Рисунок 2. Расположение выводов (цоколёвка)

Таблица 2. Описание выводов

№ вывода Обозначение Наименование и функция (техническое описание)
1 SWC Коллектор выходного ключа (Switch Collector) — коллектор внутреннего мощного NPN-транзистора, открытый коллектор.
2 SWE Эмиттер выходного ключа (Switch Emitter) — эмиттер внутреннего мощного NPN-транзистора.
3 TC Времязадающий конденсатор (Timing Capacitor) — вывод для подключения внешнего конденсатора, определяющего частоту задающего генератора.
4 GND Общий провод (земля) — нулевой потенциал питания микросхемы.
5 CII Инвертирующий вход компаратора (Comparator Inverting Input) — вход обратной связи.
6 VCC Напряжение питания (Voltage Supply) — вход питания микросхемы.
7 IPK Вход ограничения пикового тока (IPK Sense) — вход схемы активного ограничения тока.
8 DRC Коллектор драйвера (Driver Collector) — коллектор внутреннего драйверного транзистора.

Таблица 3. Предельно допустимые эксплуатационные параметры

Обозначение Параметр Значение Ед. изм.
VCC Напряжение питания 50 В
VIR Диапазон напряжений на входе компаратора от –0,3 до 40 В
VSWC Напряжение на коллекторе выходного ключа 40 В
VSWE Напряжение на эмиттере выходного ключа (при VSWC = 40 В) 40 В
VCE Напряжение коллектор–эмиттер выходного ключа 40 В
VDC Напряжение на коллекторе драйвера 40 В
IDC Ток коллектора драйвера 100 мА
ISW Ток выходного ключа 1,5 А
PTOT Суммарная рассеиваемая мощность при TA = 25 °C
для корпуса DIP-8 1,25 Вт
для корпуса SO-8 0,625 Вт
TJ Рабочая температура перехода 150 °C
TSTG Диапазон температур хранения от –40 до 150 °C
TOP Диапазон рабочих температур окружающей среды
для серий AC и EC от 0 до 70 °C
для серии AB от –40 до 85 °C
для серии EB от –40 до 125 °C

 

Таблица 4. Тепловые характеристики

Обозначение Параметр DIP-8 SO-8 Ед. изм.
RthJA Тепловое сопротивление переход–окружающая среда (примечание 1) 100 160 °C/Вт
RthJC Тепловое сопротивление переход–корпус 42 20 °C/Вт

 

  1. Данное значение зависит от теплового проектирования (разводки) печатной платы, на которую установлено устройство.

Электрические характеристики

Если не указано иное, параметры приведены применительно к испытательным схемам, напряжение питания VCC = 5 В, температура окружающей среды TA = TLOW … THIGH. (a)

Таблица 5. Генератор (Oscillator)

Обозначение Параметр Условия испытаний Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
fOSC Частота Vвыв.5 = 0 В, CT = 1 нФ, TA = 25 °C 24 33 42 кГц
ICHG Ток заряда VCC = от 5 до 40 В, TA = 25 °C 24 33 42 мкА
IDISCHG Ток разряда VCC = от 5 до 40 В, TA = 25 °C 140 200 260 мкА
IDISCHG/ICHG Отношение тока разряда к току заряда Выв. 7 = VCC, TA = 25 °C 5,2 6,2 7,5 мкА
VIPK(sense) Напряжение на входе ограничения пикового тока ICHG = IDISCHG, TA = 25 °C 250 300 350 мВ

Таблица 6. Выходной ключ (Output switch)

Обозначение Параметр Условия испытаний Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
VCE(sat) Напряжение насыщения, соединение по схеме Дарлингтона ISW = 1 А, выводы 1 и 8 соединены 1 1,3 В
VCE(sat) Напряжение насыщения ISW = 1 А, Rвыв.8 = 82 Ом к VCC, коэффициент усиления по току β ≈ 20 0,45 0,7 В
hFE Статический коэффициент передачи тока ISW = 1 А, VCE = 5 В, TA = 25 °C 50 120
IC(off) Ток коллектора в закрытом состоянии VCE = 40 В 0,01 100 мкА

Таблица 7. Компаратор (Comparator)

Обозначение Параметр Условия испытаний Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
VTH Пороговое напряжение TA = 25 °C 1,225 1,25 1,275 В
TA = от TLOW до THIGH 1,21 1,29 В
Regline Стабилизация порогового напряжения по напряжению питания VCC = от 3 до 40 В 1 5 мВ
IIB Входной ток смещения VIN = 0 В –5 –400 нА

(a) TLOW = 0 °C, THIGH = 70 °C (для серий AC и EC); TLOW = –40 °C, THIGH = 85 °C (для серии AB); TLOW = –40 °C, THIGH = 125 °C (для серии EB).

Таблица 8. Общие параметры микросхемы

Обозначение Параметр Условия испытаний Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
ICC Ток потребления VCC = от 5 до 40 В, C­ = 1 нФ, PIN7 = VCCVвыв.5 > VTH, PIN 2 = GND, остальные выводы разомкнуты
для MC34063A 2,5 4 мА
для MC34063E 1,5 4 мА
VSTART-UP Напряжение запуска (1) TA = 25 °C, CT = 1 мкФ, PIN 5 = 0
для MC34063A 2,1 В
для MC34063E 1,5 В

Примечания:

  1. Напряжение запуска — это минимальное напряжение питания, при котором внутренний генератор начинает работать.

Необходимо соблюдать предельно допустимую рассеиваемую мощность корпуса.

Если конфигурация Дарлингтона не используется, следует избегать глубокого насыщения выходного ключа, так как это может отрицательно сказаться на времени его выключения. В конфигурации Дарлингтона рекомендуется следующий режим работы выходного драйвера:

Коэффициент форсировки (принудительный коэффициент усиления по току) выходного ключа:
β принуд = IВЫХ(ключа) / (IДРАЙВЕРА – 1 мА) ≥ 10

Типовые зависимости рабочих параметров

Рисунок 3. Зависимость напряжения насыщения выходного каскада, включённого по схеме эмиттерного повторителя, от тока эмиттера

Рисунок 4. Зависимость времени включения и выключения выходного ключа от ёмкости времязадающего конденсатора генератора

Рисунок 5. Зависимость напряжения насыщения выходного ключа, включённого по схеме с общим эмиттером, от тока коллектора

Рисунок 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор–эмиттер (VCEsat) выходного ключа, включённого по схеме Дарлингтона, от температуры

Рисунок 7. Зависимость напряжения насыщения коллектор–эмиттер (VCEsat) мощного выходного транзистора от температуры

Рисунок 8. Зависимость напряжения на входе ограничения тока (VIPK) от температуры

Рисунок 9. Зависимость опорного напряжения от температуры

Рисунок 10. Зависимость тока смещения от температуры

Рисунок 11. Зависимость тока потребления от температуры

Рисунок 12. Зависимость тока потребления от входного напряжения

Типовые схемы включения

Рисунок 13. Повышающий преобразователь (Step-up converter)

Рисунок 14. Печатная плата для оценки параметров (макетная плата)

Таблица 9. Условия испытаний (VOUT = 28 В)

Параметр Условия измерения Типовое значение Ед. изм.
Нестабильность по входному напряжению VIN = 8…16 В, IO = 175 мА 30 мВ
Нестабильность по току нагрузки VIN = 12 В, IO = 75…175 мА 10 мВ
Амплитуда пульсаций выходного напряжения VIN = 12 В, IO = 175 мА 300 мВ
КПД VIN = 12 В, IO = 175 мА 89 %

Рисунок 15. Понижающий преобразователь

Рисунок 16. Печатная плата для оценки параметров (макетная плата)

Таблица 10. Условия испытаний (VOUT = 5 В)

Параметр Условия измерения Типовое значение Ед. изм.
Нестабильность по входному напряжению VIN = 15…25 В, IO = 500 мА 5 мВ
Нестабильность по току нагрузки VIN = 25 В, IO = 50…500 мА 30 мВ
Амплитуда пульсаций выходного напряжения VIN = 25 В, IO = 500 мА 100 мВ
КПД VIN = 25 В, IO = 500 мА 80 %
ISC VIN = 25 V, RLOAD = 0.1 Ω 1.2 А

Рисунок 17. Инвертирующий преобразователь

Рисунок 18. Печатная плата для оценки параметров (макетная плата)

Таблица 11. Условия испытаний (VOUT = 12В)

Параметр Условия измерения Типовое значение Ед. изм.
Нестабильность по входному напряжению VIN = 4,5…6 В, IO = 100 мА 15 мВ
Нестабильность по току нагрузки VIN = 5 В, IO = 10…100 мА 20 мВ
Амплитуда пульсаций выходного напряжения VIN = 5 В, IO = 100 мА 230 мВ
КПД VIN = 5 В, IO = 100 мА 58 %
ISC VIN = 5 V, RLOAD = 0.1 Ω 0,9 А

 

Таблица 12. Расчёт параметров

Параметр Повышающий (прерывистый режим) Понижающий (непрерывный режим) Инвертирующий (прерывистый режим)
ton/toff
(ton + toff)max 1 / fmin 1 / fmin 1 / fmin
CT 4,5 × 10⁻⁵ × ton 4,5 × 10⁻⁵ × ton 4,5 × 10⁻⁵ × ton
IPK(switch) 2 × Iout(max) × [(ton/toff) + 1] 2 × Iout(max) 2 × Iout(max) × [(ton/toff) + 1]
RSC 0,3 / IPK(switch) 0,3 / IPK(switch) 0,3 / IPK(switch)
CO
L(min)

Примечания:

VSAT — напряжение насыщения выходного ключа.

VF — прямое падение напряжения на выходном выпрямительном диоде.

Следующие параметры источника питания должны быть выбраны проектировщиком:

VIN — номинальное входное напряжение.

VOUT — желаемое выходное напряжение (|VOUT| = 1,25 × (1 + R2/R1)).

IOUT — желаемый выходной ток.

fMIN — минимальная желаемая рабочая частота преобразования при выбранных значениях VIN и IOUT.

VRIPPLE — желаемая амплитуда пульсаций выходного напряжения.

На практике рассчитанное значение ёмкости конденсатора (CO) придётся увеличить из-за влияния его эквивалентного последовательного сопротивления (ESR) и топологии печатной платы. Пульсации напряжения следует поддерживать на низком уровне, поскольку они напрямую влияют на стабилизацию по входному напряжению и нагрузке.

Рисунок 19. Повышающий преобразователь с внешним NPN-транзистором

Рисунок 20. Понижающий преобразователь с внешним NPN-транзистором

Рисунок 21. Понижающий преобразователь с внешним PNP-транзистором

Рисунок 22. Инвертирующий преобразователь напряжения с внешним NPN-транзистором

Рисунок 23. Инвертирующий преобразователь напряжения с внешним PNP-насыщаемым ключом

Рисунок 24. Двухполярное выходное напряжение

Рисунок 25. Повышенная выходная мощность, повышенное входное напряжение

Механические характеристики корпуса DIP-8

Обозначение Размер в мм. Размер в дюймах
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс.
A 3,3 0,130
a1 0,7 0,028
B 1,39 1,65 0,055 0,065
B1 0,91 1,04 0,036 0,041
b 0,5 0,020
b1 0,38 0,5 0,015 0,020
D 9,8 0,386
E 8,8 0,346
e 2,54 0,100
e3 7,62 0,300
e4 7,62 0,300
F 7,1 0,280
I 4,8 0,189
L 3,3 0,130
Z 0,44 1,6 0,017 0,063

Механические характеристики корпуса SO-8

Обозначение Размер в мм. Размер в дюймах
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс.
A 1,35 1,75 0,053 0,069
A1 0,10 0,25 0,004 0,010
A2 1,10 1,65 0,043 0,065
B 0,33 0,51 0,013 0,020
C 0,19 0,25 0,007 0,010
D 4,80 5,00 0,189 0,197
E 3,80 4,00 0,150 0,157
e 1,27 0,050
H 5,80 6,20 0,228 0,244
h 0,25 0,50 0,010 0,020
L 0,40 1,27 0,016 0,050
k 8° (макс.)
ddd 0,1 0,004

Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ